一、离子束溅射的优点
1、溅射镀膜是依靠动量交换作用使固体材料的原子、分子进入气相，溅射出的平均能量10eV，高于真空蒸发粒子的100倍左右，沉积在基体表面上之后，尚有足够的动能在基体表面上迁移，因而薄膜质量较好，与基体结合牢固。
2、任何材料都能溅射镀膜，材料溅射特性差别较其蒸发特性差别小，即使是高熔点材料也能进行溅射，对于合金、靶材化合物材料易制成与靶材组分比例相同的薄膜，因而溅射镀膜的应用非常广泛。
3、溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到，因而其工作压力在10-2Pa~10Pa范围，所以溅射离子在飞到基体之前往往已与真空室内的气体分子发生过碰撞，其运动方向随机偏离原来的方向，而且溅射一般是从较大靶表面积中射出的，因而比真空镀膜得到均匀厚度的膜层，对于具有勾槽、台阶等镀件，能将阴极效应造成膜厚差别减小到可以忽略的程度。但是，较高压力下溅射会使膜中含有较多的气体分子。
4、可以使离子束精确聚焦和扫描，在保持离子束特性不变的情况下，可以变换靶材和基片材料，并且可以独立控制离子束能量和电流。由于可以精确地控制离子束的能量、束流大小与束流方向，而且溅射出的原子可以不经过碰撞过程而直接沉积薄膜，因而离子束溅射方法很适合于作为一种薄膜沉积的研究手段。
4.离子束溅射的缺点
离子束溅射的主要缺点就是轰击到的靶面积太小，沉积速率一般较低。而且，离子束溅射沉积也不适宜沉积厚度均匀的大面积的薄膜。并且溅射装置过于复杂，设备运行成本较高。
高真空离子束溅射设备原理
优点：1、靶材粒子能量高（比热蒸发高出1个数量级），所制备膜层更致密，与基板结合力更高；
2、一般备有辅助离子源，可以用来清洗基板，清洗效果好；
3、易于制备熔点高的材料；
4、制备合金膜层，可以保证膜层材料比例与靶材相同；
5、由于装有中和器，也可以用来制备绝缘膜层；
缺点：1、一般镀膜速率较慢，几十埃每秒；
2、离子源清理和中和器灯丝更换较频繁；
3、不适宜制备较大面积薄膜；
除有机材料和易分解的材料，一般都可以用离子束溅射镀膜，氧化物膜层的制备需要辅助通氧。
离子束刻蚀分为物理离子束刻蚀和反应离子束刻蚀。（Ga 原子量69.72），当高能束轰击样品时，动量会传递给样品中的原子或者分子，产生溅射效应。选择合适的离子束流，可以对不同材料的样品实施告诉微区刻蚀。利用聚焦离子束可以对纳米级材料如，氧化锌纳米带进行加工，可以在光纤上刻蚀周期结构图案。
如将一些卤化物气体直接导向样品表面，在离子束轰击下，可以实现增强刻蚀：高能离子束将气体等离子化-活化， 这些基团与样品物质发生化学反应后的物质是易挥发性的，当脱离样品表面时，就被真空抽走了。反应离子刻蚀技术在刻蚀速率，材料的选择性，深孔测壁的垂直性商，都比物理离子束刻蚀有大幅度提高。
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