太阳能硅片表面等离子体清洗工艺

硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。

等离子硅片清洗条件参数：

1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气体选自02、Ar、N2中的任一种；气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力1040毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。

2、如1所述的等离子体清洗方法，其特征在于所用气体为02。

3、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。

4、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时闾1-5s。

5、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss

说 明 书

等离子清洗涉及刻蚀工艺领域，并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残

留颗粒的清洗。

背景技术

在刻蚀过程中，颗粒的来源很多：刻蚀用气体如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蚀性，刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒；反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒；反应室内的内衬( liner)也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，导致器件损坏。因此，在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要。

目前，常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种：一种是标准清洗( RCA)清洗技术，另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。其清洗工序为：一号液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀释的HF(DHF)(HF+H20)—，二号液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除颗粒沾污（粒子），也能去除部分金属杂质。去除颗粒的原理为：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（约6nm，呈亲水性），该氧化膜又被NH40H腐蚀，腐蚀后立即发生氧他，氧化和腐蚀反复进行，附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。自然氧化膜约0.6nm厚，与NH40H和H202的浓度及清洗液温度无关。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与未被氧化的金属作用生成盐，并随去离子水冲洗而被去除，被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。RCA清洗技术存在以下缺陷：需要人工操作，劳动量大，操作环境危险；工艺复杂，清洗时间长，生产效率低；清洗溶剂长期浸泡容易对硅片过腐蚀或留下水痕，影响器件性能；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高；去除

粒子效果较好，但去除金属杂质Al、Fe效果欠佳。

用硅片清洗机进行兆声清洗是将硅片吸附在静电卡盘( chuck)上，清洗过程中硅片不断旋转，清洗液喷淋在硅片表面。可以进行不同转速和喷淋时间的设置，连续完成多步清洗步骤。典型工艺为：兆声_氨水+双氧水（可以进行加温）_水洗_盐酸+双氧水-水洗_兆声一甩干。

用硅片清洗机进行兆声清洗的缺陷表现为：只能进行单片清洗，单片清洗时间长，导致生产效率较低；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高。

等离子清洗硅片表面颗粒原理：

等离子体清洗方法的原理为：依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用，，达到去除物体表面颗粒的目的。它通常包括以下过程：a．无机气体被激发到等离子态；b．气相物质被吸附在固体表面；c．被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；d．产物分子解析形成气相；e．反应残余物脱离表面。

等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗（purge）流程，然后进行该气体等离子体启辉。

所用工艺气体选自02、Ar、N2中的任一种。优选地，所用工艺气体选

02。

以上所述的等离子体清洗方法，氕体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。

优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时间1.Ss。

更优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。

等离子清洗硅片后效果：

本发明所述的去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所需工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。

附图说明

图1等离子体清洗前后的CD-SEM（关键尺寸量测仪器）图片；

其中，CD: Criticaldimension关键尺寸。

图2等离子体清洗前后的FE-SEM（场发射显微镜）图片；

其中，FE: field emission场发射。

图3等离子体清洗前后的particle（粒子）图片。

在进行完BT（break through自然氧化层去除步骤）、ME（Main Etch主刻步骤）、OE（过刻步骤）的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行02的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，通气时间为3s然后，进行含有02的启辉过程：腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，上RF的功率设置为300W．启辉时间为Ss。

采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行Ar的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，通气时间为Ss然后，进行含有Ar的启辉过程：腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，上RF的功率设置为400W，启辉时间为10s。

采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行N2的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，通气时间为Ss然后，进行含有N2的启辉过程：腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，上RF的功率设置为250W，启辉时间为10s。

采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

南京世锋科技等离子研究中心 QQ 283 加58 加8329

太阳能热水器清洗机价格及品牌介绍

太阳能热水器清洗机是用于太阳能热水器清洗的一种机器。太阳能热水器清洗机是基于“液电效应”设计的新型清洗机。可控调压器可以调节高压变压器的输入电压，根据有所不同的工况调节放电功率。

主要是利用高压变压器和高压整流器硅堆产生高压直流充电电流，可调脉冲发生器产生点火脉冲，使点火开关的上下电极穿透放电，电缆的放电头在水底对结垢的管壁放电，将电动力转化成为液动力，让垢体在冲击波的作用下被击碎、开裂，达到清垢目的。

可控调压器可以调节高压变压器的输入电压，根据有所不同的工况调节放电功率。

太阳能热水器除垢剂优点：

1、采用食品级原料，对人体无任何危害， 清洗后可以直接使用

2、对集热管、内胆、贮水箱、镀膜真空管、密封胶圈、塑料件等部件无任何腐蚀

3、绿色环保配方，清洗液可直接排放

4、强力高效，除垢效果可以直接监控。

提示：

1、不同太阳能热水器结构有所不同，请根据说明书调整使用方法(建议由专业维修人士操作)。

2、将水加热到40度左右除垢，效果更佳。

超声波清洗机能清洗硅片吗？

 太阳能热水器在我们现在的生活周边还是比较常见的，但是大家知道太阳能热水器清洗机吗?相信很多人都跟小编一样不是特别的了解。太阳能热水器清洗机是最新出现的一种对太阳能热水器进行清洗的机器，这种机器一经面世，便受到广大消费者的喜爱和追捧。在这之前，很多人对清洗太阳能热水器十分的苦恼，但是有了清洗机，这些问题就再也不存在了。

一、介绍

庆碧姆科技发展有限公司致力于家电清洗消毒设备的研发和生产、现有主打产品饮水机清洗机，油烟机清洗机，空调清洗机，脉冲清洗机，太阳能清洗机等并在重庆主城提供专业家电清洗消毒服务。主要经营家电清洗设备及其周边产品等。在家电清洗消毒方面积累了丰富经验。重庆碧姆科技发展有限公司致力向用户提供高质量的产品-饮水机清洗机，油烟机清洗机，空调清洗机，脉冲清洗机，太阳能清洗机还提供富有专业的技术支援及优质的售后服务。一切以客户的所想、所需、所要为出发点，全心全意为客户的需要而量身定做了一系列的专业服务，从可行性方案的设计、产品安装使用、调试、售后维护等。因此经过多年来成长，公司以诚信专业的作风赢得了广大客户的认可和好评。

　　二、使用方法

1、打开太阳能热水器进水口2、本品1瓶(300克)加入到存水箱 3、自动热循环20-30分钟，使除垢剂溶液充分接触各部位4、打开排水口，排干清洗液5、将水箱加满水后再循环两分钟6、排干循环水，清洗除垢工作完成。提示：1、不同太阳能热水器结构有所不同，请根据说明书调整使用方法(建议由专业维修人士操作)。2、将水加热到40度左右除垢，效果更佳。用量： 1台太阳能热水器一次用1瓶(300克)。建议：每三个月对太阳能热水器进行清洗一次，以保证太阳能处于良好工作状态，如果十二个月以上未清洗，请加大用量。注意事项： 如果沾于眼、鼻等敏感部位，请用清水冲洗。

三、优点及价格

1、采用食品级原料，对人体无任何危害， 清洗后可以直接使用2、对集热管、内胆、贮水箱、镀膜真空管、密封胶圈、塑料件等部件无任何腐蚀3、绿色环保配方，清洗液可直接排放4、强力高效，除垢效果可以直接监控。太阳能热水器清洗机价格一般是在300-500元左右(价格来源于网络，仅供参考)。

可能很多人会担心太阳能热水器清洗机的安全问题，那么小编就为大家介绍一下太阳能热水器的除垢器的主要成分都是受到安全认可的保护剂，不仅可以快速彻底的清洗太阳能热水器，还绝对的无毒无害，可以供人直接使用。小编为大家介绍的太阳能热水器清洗机就到这里了，希望可以帮助到大家，大家有需要的也可以进行购买，价格还是相当实惠的。

超声波清洗硅片最佳的超声频率是多少？

可以的。

随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场的需求比例将日益加大。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。最新尖端技术的导入，使SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化。利用超声波清洗技术，在清洗过程中超声波频率在合理的范围内往复扫动，带动清洗液形成细微回流，使工件污垢在被超声剥离的同时迅速带离工件表面，提高清洗效率。

超声波清洗方法及其放置方向

将被洗研磨硅片水平状放置在清洗槽底部上方栅栏状的石英棒框架上，在确保清洗槽内具有去离子水高度并不断流动的条件下，利用设在清洗槽底部的超声波振子进行清洗，超声波频率为40KHz，每5分钟将研磨硅片翻一个面，连续超洗至被超洗的研磨硅片表面没有黑色污染物冒出止。超声波清洗单晶硅片装置清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。

具体实施时，石英棒距离清洗槽的底壁为15厘米。清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，消除了单晶硅片在竖超洗状态下，污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，具有结构更简单、用水量大大减少的优点。

采用超声波清洗机的优点

1、采用了真空脱气技术有效去除液体中气体，且运用抛动功能，增强超声对工件表面油污和污垢的清洗能力，缩短清洗时间

2、洗篮设计转动机构重叠不可分拆的零件或形状复杂的零件，也可做到均匀完整的清洗

3、减压真空系统能吸出盲孔、缝隙及叠加零件之间的空气，使超声波在减压的状态下产生

4、真空蒸汽清洗+真空干燥系统利用蒸汽洗净做养护，完美实现清洗效果

5、蒸汽清洗、干燥及清洗液加热的全过程在减压真空中进行，更有效地确保了安全性

6、防爆配件及简洁加热系统，进一步提高安全度

7、加热温度自动可调

8、设有安全保险装置

9、超声输出频率可根据不同工作情况进行微调.

常用超声波清洗机频率是多少?

超声波频率越低，在液体中产生的空化越容易，产生的力度大，作用也越强，适用于工件粗、脏、初洗，频率高则超声波方向性强，适合于精细的物件清洗，所以常用超声波清洗机频率是28khz、40khz。

比如：

15KHZ:通常使用于焊接作业，也有聚焦式超声波利用圆柱型介质当传导体,使强力声波透过介质做强力洗净。

28KHZ:较适合初期清洗,适合电镀业及五金机械业。

40KHZ:较适合中期清洗,适合晶圆.LCD半导体.光电.太阳能板.玻璃基板.PC板。

80KHZ:较适合后期清洗,可有效清除尘埃。

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