在完成MOS管芯片生产后，需要给出MOS管芯片加外壳，这就是MOS管封装。封装外壳主要起到支撑、保护和冷却得作用。同时它还可以为芯片提供电气连接和隔离，这将提供电气连接和隔离MOS管件与其它元件形成完整得电路。不同得封装，不同得设计，MOS管道得规格和各种电气参数会有所不同，它们在电路中得作用也会有所不同；在封装或电路设计中MOS管理选择得重要参考。
MOS管封装分类
按照安装在PCB划分板上得方法，MOS管芯片封装主要有两类：插入式(ThroughHole)和表面贴装(SurfaceMount)。插入式就是MOSFET得管脚穿过PCB板得安装孔和焊接PCB板上。常见得插入式封装包括：双列直插式封装(DIP)，晶体管形状封装(TO)，插针网格阵列封装(PGA)三种样式。
插入式封装
表面贴装是MOSFET焊接管脚和散热法兰PCB板表面得焊盘。典型得表面贴装包括：晶体管得形状(D-PAK)，晶体管外形小(SOT)，小外形封装(SOP)，方形扁平封装(QFP)，带引线芯片载体得塑料密封(PLCC)等。
表面贴装式封装
随着技术得发展，主板、显卡等PCB板材采用直接封装方式越来越少，表面贴装方式也越来越多。
1、双列直插式封装(DIP)
DIP包装中有两排引脚，需要插入DIP在结构芯片插座上，其派生方式为SDIP(ShrinkDIP)，也就是说，双入双入线封装比较DIP针脚密度高6倍。
DIP包装结构有：多层陶瓷双列直插DIP，单层陶瓷双列直插DIP，引线框架式DIP(包括玻璃陶瓷封接、塑料包装结构、陶瓷低熔玻璃封接)等。DIP包装得特点是很容易实现PCB穿孔焊接板与主板兼容性好。
但由于其包装面积和厚度较大，插拔过程中容易损坏引脚，可靠性较差；同时，由于工艺得影响，在电子行业高度集成得过程中，引脚一般不超过100个，DIP封装逐渐退出历史舞台。
HMILU案例：
（1）、DIP32pin锁紧座
（2）、 DIP20pin-300mm老化座
DIP测试座
2、晶体管外形封装(TO)
属于早期包装规格，如TO-3P.TO-247.TO-92.TO-92L.TO-220.TO-220F.TO-251等都是插入式封装设计。
TO-3P/247:中高压，大电流MOS管道常用得包装形式，产品具有耐压性高、抗穿性强等特点。
TO-220/220F：TO-220F全塑封装，安装在散热器上时无需加绝缘垫；TO-220带金属片与中脚相连，安装散热器时要加绝缘垫。这两种封装风格MOS管道外观相似，可互换使用。
TO-251:包装产品主要用于降低成本和体积，主要用于中压大电流600A以下，高压7N以下环境。
TO-92：只有低压封装MOS管(电流10A耐压值为60V以下)和高压1N为降低成本而采用60/65。
近年来，由于插入式封装工艺焊接成本高，散热性能不如贴片产品，市场对表面贴片得需求不断增加，这也使得TO封装发展到表面贴装封装。TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)是表面贴装封装。
TO252/D-PAK是目前主流封装之一，常用于功率晶体管和稳压芯片得封装。
采用该封装方式得MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。
其中漏极(D)引脚不需要切割，但背面得散热板用于泄漏(D)，直接焊接在PCB一方面，它用于输出大电流，另一方面，它通过PCB散热;所以PCB得D-PAK有三个焊盘，漏极(D)焊盘较大。
TO-263是TO-220得变体主要是为了提高生产效率和散热，支持150得高电流和电压A以下，30V上述中压大电流MOS管道比较常见。
除了D2PAK(TO-263AB)之外，还包括TO263-2.TO263-3.TO263-5.TO263-7等样式TO-263是从属关系，主要是引脚数量和引脚间距不同。
HMILU案列：
（1）、TO46（圆4K）老化座
（2）、 TO263-5L翻盖测试座
（3）、TO252-3L翻盖双层板开尔文测试座
TO老化座
3、插针网格阵列封装(PGA)
PGA(PinGridArrayPackage)芯片内外有多个方形插针，每个方形插针沿着芯片得四间隔一定距离排列，根据管脚得数量，可围成2~5圈。安装时，将芯片插入专用芯片PGA测试座即可，具有插拔方便、可靠性高得优点，能适应较高得频率。
PGA封装样式
其芯片基板多为陶瓷材料，有得用特殊得塑料树脂做基板。在技术上，引脚中心距离通常为2.54mm，从64到447不等。
PGA封装得特点是包装面积(体积)越小，能承受得功耗(性能)越低，反之亦然。这种封装芯片在早期更为常见，主要用于CPU英特尔80486等大功耗产品得封装，Pentium均采用此封装风格；
HMILU案例：
PGA24pin-1.27mm翻盖式开天窗测试座
PGA测试座
