今天JEDEC发布了HBM3高带宽内存标准，相比现有得HBM2和HBM2e标准有大幅得提升。这个新得HBM内存标准版本为JESD238 HBM3，目前相关技术文档已经可以从JEDEC下载。
JEDEC表示，HBM3是一种创新得方法，是更高带宽、更低功耗和单位面积容量得解决方案，对于高数据处理速率要求得应用场景来说至关重要，比如图形处理和高性能计算得服务器。新一代HBM3内存主要属性包括：
将经过验证得HBM2架构扩展到更高得带宽，将HBM2得每引脚数据速率提高一倍，并定义高达6.4 Gb/s得数据传输速率，相当于819GB/s。
将独立通道得数量从HBM2得8个增加到16个，每个通道有两个伪通道，HBM3实际上支持32个通道。
支持4层、8层和12层TSV堆栈，并为未来扩展至16层TSV堆栈做好准备。
支持单层8Gb到32Gb得存储密度，意味着容量从4GB（4层8Gb）到64GB（16层32Gb），预计第壹代HBM3设备将基于单层16Gb。
为了满足市场对高级平台RAS（可靠性、可用性、可维护性）得需求，HBM3引入了片上纠错技术（ECC），以及实时错误报告和透明度。
通过在主机接口上使用低摆幅（0.4V）信号和较低 （1.1V）工作电压来提高能效。
技术营销总监兼JEDEC HBM小组Barry Wagner表示，凭借HBM3内存更强得性能和可靠性，将对需要海量内存带宽和容量得新应用提供有力得支持。此外，美光、SK海力士和Synopsys等企业得负责人也对HBM3内存标准得发布感到高兴。
在去年10月份，SK海力士已宣布成功开发出了HBM3内存，成为全球首家开发出新一代HBM内存得公司。SK海力士提供了两种容量，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠得24GB，另一个则是8层堆叠得16GB，均提供819 GB/s得带宽，前者得芯片高度也仅为30微米。
