OFweek半导体照明网讯 2016年，南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心研发的黄光LED芯片取得突破，黄光LED电光转换效率达到21．5％，远高于国外9．63％的最高水平。这一技术突破使我国LED行业处于世界领跑地位，受到了包括诺贝尔物理奖获得者中村修二在内的国内外学术界、产业界专家的一致认可和高度评价。
1月22日下午，沐浴着冬日的暖阳，记者走进在南昌高新区落成启用的南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心新大楼。在这里，由江风益教授领衔的团队自主研发的硅衬底黄光LED芯片实现突破，跃居世界领先水平，使我国LED行业处于世界领跑地位。
南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心研发的黄光LED等多种LED产品
在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心实验室里，由江风益教授牵头研究的“硅衬底蓝色发光二极管”项目，获得2015年度国家技术发明奖一等奖。
“我国发展必须依靠创新。掌握核心技术的过程很艰难，但这条道路必须走。”2016年2月3日，习近平在视察国家硅基LED工程技术研究中心实验室时对科研人员提出了殷切期望。
一年来，江风益团队在技术创新上取得了怎样的成绩呢？
22日下午，江风益团队核心成员、南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心副主任王光绪博士一边指着宣传板，一边向记者介绍该中心过去的一年在硅衬底黄光LED芯片领域取得的成果。
2016年，该中心研发的黄光LED芯片取得突破，黄光LED电光转换效率达到21．5％，远高于国外9．63％的最高水平。“灯泡插在插座上，输入1瓦的电，出来0．2瓦的光，这个电光转化效率就是20％。”王光绪表示，这一技术突破使我国LED行业处于世界领跑地位，受到了包括诺贝尔物理奖获得者中村修二在内的国内外学术界、产业界专家的一致认可和高度评价。
中心是怎么做到黄光LED芯片电光转换效率大幅提升的呢？王光绪告诉记者，这主要得益于MOVCD装备与工艺的协同创新。
中心工作人员正在对芯片进行测试，测试过程中通过显微镜观察芯片的质量
