OFweek半导体照明网讯 2016年以来，micro LED逐渐进入LED行业圈子，近日听到了micro LED将于2018年量产的消息。为了更全面的了解micro LED市场与技术的发展，对micro LED的历史、现况、原理、制程及参与企业等方面做了全面梳理。

　　历史

　　说起Micro LED，先得从显示TFT-LCD背光模组应用说起。在1990年代TFT-LCD开始蓬勃发展时，因LED具有高色彩饱和度、省电、轻薄等特点，部分厂商就利用LED做背光源。然因成本过高、散热不佳、光电效率低等因素，并未大量应用于TFT-LCD产品中。

　　直到2000年，蓝光LED芯片刺激荧光粉制成白光LED技术的制程、效能、成本开始逐渐成熟；当进入2008年，白光LED背光模组呈现爆发性的成长，几年间几乎全面取代了CCFL，其应用领域由手机、平板电脑、笔电、台式显示器乃至电视等等。

　　然而，因TFT-LCD非自发光的显示原理所致，其open cell穿透率约在7%以下，造成TFT-LCD的光电效率低落；且白光LED所能提供的色饱和度仍不如三原色LED，大部分TFT-LCD产品约仅72%NTSC；再则，于室外环境下，TFT-LCD亮度无法提升至1000nits以上，致使影像和色彩辨识度低，为其一大应用缺陷。故另一种直接利用三原色LED做为自发光显示点画素的LED Display或Micro LED Display的技术也正在发展中。

　　现况

　　随着LED的成熟与演进，Micro LED Display自2010年代起开始有着不一样的面貌呈现。

　　从其发展历程来看，2012年Sony发表的55寸“Crystal LED Display”就是Micro LED Display技术类型，其Full HD解析度共使用约622万(1920x1080x3)颗micro LED做为高解析的显示画素，对比度可达百万比一，色饱和度可达140%NTSC，无反应时间和使用寿命问题。但是因采单颗Micro LED嵌入方式，在商业化上，仍有不少的成本与技术瓶颈存在，以致于迄今未能量产。

　　虽然Micro LED理论上是皆可应用各类尺寸产品，但从自身良率及制程来看，目前对解析度高低的需求与良率是成反比，所以对解析度要求不高的穿戴式产品的显示器因尺寸面积小、制作良率较高、符合节电需求，而被优先导入micro LED。

　　一般LED芯片包含基板和磊晶层其厚度约在100~500μm，且尺寸介于100~1000μm。而更进一步正在进行的Micro LED Display研究在于将LED表面厚约4~5μm磊晶层用物理或化学机制剥离，再移植至电路基板上。其Micro LED Display综合TFT-LCD和LED两大技术特点，在材料、制程、设备的发展较为成熟，产品规格远高于目前的TFT-LCD或OLED，应用领域更为广泛包含软性、透明显示器，为一可行性高的次世代平面显示器技术。

　　自2010年后各厂商积极于Micro LED Display的技术整合与开发，然因Micro LED Display尚未有标准的μLED结构、量产制程与驱动电路设计，各厂商其专利布局更是兵家必争之地。迄2016年止，已被Apple并购的Luxvue、Mikro Mesa、SONY、leti等公司皆已具数量规模的专利申请案，更有为数众多的公司与研究机构投入相关的技术开发。

　　主要参与开发的企业