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气相沉积炉注册商标属于哪一类?
   https://www.fubuwang.com 2023-10-10 06:57:24 来源:网络
核心提示:气相沉积炉属于商标分类第11类1107群组;经路标网统计,注册气相沉积炉的商标达76件。注册时怎样选择其他小项类:1.选择注册(扩散焊炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%2.选择注册(预氧化炉,群组号:1107)类

气相沉积炉属于商标分类第11类1107群组;

经路标网统计,注册气相沉积炉的商标达76件。

注册时怎样选择其他小项类:

1.选择注册(扩散焊炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

2.选择注册(预氧化炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

3.选择注册(淬火炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

4.选择注册(烧结炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

5.选择注册(热压炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

6.选择注册(退火炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

7.选择注册(钎焊炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

8.选择注册(石墨纯化炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

9.选择注册(裂解炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

10.选择注册(碳化炉,群组号:1107)类别的商标有5件,注册占比率达6.58%

捷佳伟创:积极布局异质结相关设备,客户覆盖主流厂商

高温热处理炉主要是对高合金钢进行热处理的设备,通常是刀具类、模具类、工具类、不锈钢类、粉末冶金类的烧结和高温合金进行热处理的必备设备。双室真空化学气相沉积炉主要是用来进行表面处理的设备,可以推知,组建的这个生产线,毫无疑问是进行高温热处理并进行表面处理的零件的生产,可以推知,这个是刀具和模具的生产线,既然是生产线,肯定是批量生产的,而模具不可能是批量生产,所以最终推测,这个是刀具生产线,生产钻头、车刀、铣刀之类的生产线。

化学气相沉积炉真空抽不到位怎么办

4月份开始新能源板块掀起了一波上涨大潮,一众个股纷纷创新高,捷佳伟创也不遑多让,年初至今涨幅超过177%,近一年涨幅超过2倍。最近国盛证券发布了公司的深度研报,本文以读者视角来了解下捷佳伟创这家公司。

捷佳伟创成立于2007年6月,2018年8月在创业板上市,公司位于深圳市坪山区,现有员工2143人,公司董事长余仲与副总经理左国军、董事梁美珍为公司控股股东和实际控制人,三人为一致行动人。公司主营业务为晶体硅太阳能电池片生产设备的研发、制造和销售,产品包括单/多晶制绒设备、管式扩散氧化退火炉、酸抛光及碱抛光设备、管式等离子体沉积炉、智能自动化设备、全自动丝网印刷设备等六大产品系列。公司不仅为客户提供晶硅电池片生产设备,还提供晶硅电池"交钥匙工程"系统解决方案、晶体硅电池智能制造车间系统以及晶体硅电池丝网印刷线,目前客户覆盖晶科能源、天合光能、隆基股份等国内外绝大多数电池厂商,市占率超过50%:

近几年受行业快速发展,公司业绩呈高增长,2019年营业收入与归母净利润分别为25.27亿元、3.82亿元,同比增长69.3%和24.7%,业绩增长明显。2020年上半年公司通过分批复工、协助供应商恢复生产等措施,确保公司2月份开始有序复工生产,设备验收确认收入大幅增加,上半年公司实现营收18.93亿元,同比增长55.4%;实现归母净利润2.49亿元,同比增长8.11%。同时公司还持续加强新设备研发与技术创新,不断加大市场开拓力度,巩固公司市场领先地位。

2020年9月29日捷佳伟创发布《2020年度向特定对象发行A股股票预案》,计划向特定对象发行募集资金总额不超过约25亿元,用于超高效太阳能电池装备产业化项目和先进半导体装备研发项目,项目稳步推进后将新增年产25GW Perc+高效新型电池湿法设备,新增25GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD产能,并新增年产50套HJT电池镀膜设备。同时公司加大半导体设备投入,专注于Cassette-Less刻蚀设备和单晶圆清洗设备技术改进与研发、立式炉管低压CVD设备、立式炉管低压ALD设备及立式炉管HK ALO/HFO2工艺设备技术的改进与研发:

2019年以来各大硅片厂商相继推出大硅片产品,隆基股份推出166尺寸硅片,中环股份推出210尺寸硅片。2020年以来隆基股份、晶澳和晶科能源组成182联盟并推行182尺寸硅片,光伏硅片尺寸逐步从过去的主流M2、G1硅片向更大尺寸发展。

从光伏的生产工艺来说,硅片后端的电池片和组件环节的生产流程是按片进行生产,单片硅片功率的增加,有助于降低单位的生产成本。从电池片产线来看,每条产线的产能由产线出片速率和每片功率所决定。随着硅片面积的增加,产线上单品功率得到明显提升,从而有助于摊销掉和硅片面积无关的其他固定成本,从而降低非硅成本。因此硅片大型化推动电池片和组件端降低成本。

在2020年SNEC展会上各家组件厂商在基于大尺寸电池片封装的技术上相继推出600W、700W以上高功率组件,电池片大型化趋势明显。

大尺寸电池片渗透率提升催生电池片产线升级需求并催生电池片迎来新一轮扩产高峰,甚至或将加速部分老产线淘汰退出市场。目前存量产线进行小幅更改后可以兼容166硅片,但对182和210硅片而言改造幅度较大,因此新投产电池片产线将选择向下兼容的方式适配182和210硅片。PV Infolink预计2020年182尺寸和210尺寸电池片产能分别为33GW和18GW,预计到2021年182尺寸和210尺寸硅片产能有望达到79GW和67GW,其中新增产能分别为46GW和49GW:

在技术创新上电池片同样正在完成从P型向N型跨越。2018年以来随着PERC电池片技术推出,单晶硅片转换效率优势更加明显,电池片厂商主动向单晶PERC产线转移,单晶逐步完成对多晶的替代。

相比于P型,N型单晶硅主要在单晶中掺磷,N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中杂质对少子电子的捕获能力,相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片高出1-2个数量级,达到毫秒级。

从技术路线发展来看,P型电池片转换效率存在瓶颈,P型向N型转换势在必行。目前N型电池片技术主要包括N-Pert、TopCon、异质结和IBC四大技术方向,机理与半导体接近,因此随着电池制备技术升级,光伏电池工艺逐步向半导体工艺升级:

PERC技术是在常规的BSF电池基础上进行背面钝化层和激光开槽,目前单晶PERC电池片最早转换效率为24.06%,但考虑到量产环节中的损耗,PERC的平均量产效率在22.5%左右,传统PERC转换效率提升空间存在瓶颈。

根据《后PERC时代高效晶硅电池量产技术路线探讨》,除了工艺上的优化,还可通过优化制绒技术研发、电流一维传输机制、背面TopCon加载、选择性透过技术结构加载和优化金属化-细栅线技术等对PERC电池结构进行升级。ISFH研究表明采用钝化接触电池结构如TopCon可使得此类电池极限效率提升至28.2%-28.7%,高于异质结的27.5%和PERC的24.5%,非常接近晶体硅太阳能电池极限效率29.43%。目前捷佳伟创积极布局PERC+技术,相关技术钝化设备研发已进入工艺验证阶段。

TopCon生产流程分为9步,分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD沉积氧化铝、PECVD 沉积氮化硅膜、丝网印刷等工序。其中大部分设备可以和PERC+SE产线共用,只需要额外增加硼扩散、LPCVD沉积(隧道结制备环节)、离子注入(或者扩散装备)和去绕镀清洗环节设备,便可以实现设备的升级,目前龙头厂商PERC产线均留有一定设备空间,有助于产线改造升级。

根据TaiyangNews报道,捷佳伟创LPCVD设备已经完成测试,设备与海外厂商相比主要差异不大,随着设备国产化推进,TopCon产线投资成本有望大幅下降:

异质结通常以N型晶体硅做衬底,宽带隙的非晶硅做发射极,具备双面对称结构。电池正表面空穴通过高掺杂P型非晶硅构成空穴传输层;电池背面电子通过高掺杂N型非晶硅构成电子传输层,光生载流子在吸收材料中产生并只能从电池一个表看流出,实现两者分离:

异质结电池片具有转换效率高、生产环节简单、将本空间大、发电增益等优势,目前日本松下和美国Solarcity公司已经布局,产能均达到1GW左右。国内钧石产能达到600MW。在制造工艺中TCO沉积在异质结电池沉积工艺后半部分,通过沉积TCO膜作为减反层和横向运载流子至电极的导电层,一般TCO沉积在PVD设备中通过溅射方式完成。捷佳伟创选择的是反应等离子RPD技术,和双面进行薄膜沉积的PVD路线相比采用自下而上的单侧沉积技术,关键设备是等离子枪:

2020年9月捷佳伟创完成新一代HJT关键量产设备RPD5500A的装配调试,新型RPD设备具有离子轰击小、穿透率高等特点,在同等条件下采用新型RPD镀膜的HJT技术装备和工艺方案,相比现有常规HJT装备和工艺,高出至少0.6%的效率增益。如果配合新一代靶材技术和工艺,会带来更高的效率增益、更低的电子共振吸收、更好的长波透光率和更优秀的导电性。此外公司二合一PAR5500设备即将推出,有望大幅降低设备成本。

为什么即使采用标准热电偶按照正确的实验方法测量温度也会有较大的误差

首先检验一下整个系统的密封性;如若密封性良好的话,其次再检查一下真空泵的情况,看看这个泵是否真的能达到要求的真空度。如果泵本身就达不到要求的话建议更换真空泵,或者用氮气(或其他与实验有关的惰性气体)多次冲洗的方法,置换掉腔室的其他气体。

可能是因为传感器的反应不够快导致误差。

对于温度不断变化的被测场所,尤其是瞬间变化过程,全过程仅1秒钟,则要求传感器的响应时间在毫秒级。因此,普通的温度传感器不仅跟不上被测对象的温度变化速度出现滞后,而且也会因达不到热平衡而产生测量误差。最好选择响应快的传感器。

相关技术问题可以咨询思百吉。思百吉集团业务横跨四大业务板块,服务于相应的应用和行业上:材料分析,测试和测量,在线分析仪和工业控制设备。公司总部设在英国萨里郡的埃格姆,拥有员工约8,300人,在超过30个国家设有办事处。

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